新芯片的设计,是非常完美先进的。
而且,新芯片采用的是新材质,而不是硅,性能表现也不一样。
正因如此,新芯片才可以在制程工艺远远落后的情况下,却是全方位超越了锐龙R93900X和酷睿i99900k。
碳基集成电路技术,不是现在才出现。
未来芯片实验室并不是第一家发现这种技术,而是之前就有实验室发现了这个技术,只是还没有做到成熟而已。
早在一年前,就有实验室通过碳纳米管来制造芯片的核心元器件,也就是晶体管,并且发现由过碳纳米管制作的晶体管,是同尺寸硅材料制作的晶体管的5倍,并且能耗还不到其五分之一。
这是一个重大的发现,也是臻国芯片有可能实现换道超车的突破口。
不过,目前为止,这个技术还只能在实验室实现,而无法做到商业化,更无法实现量产,需要攻克的技术难关还非常多,也只是多了一个突破口,一个可能有用的发展方向。
但未来芯片实验室,就把这个实现做成了成品,并且效果还更好。
未来芯片实验室的新芯片,就是采用碳纳米管制造的碳基芯片,而运算速度做到了同尺寸硅材料制作的晶体管的10倍,其能耗更是不到五分之一。
而且,芯片样品的制造,以及相关测试数据,也证明了量产和商业化的可能性。
在不久前,英特尔公布过10nm制程以及首次展示了10nm的晶圆,而他们的10nm制程可以做到每平方毫米1亿晶体管,而同为10nm制程的台积电为每平方毫米4800万晶体管,三星则是每平方毫米5160万。
这些数据,就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致,但这10nm制程也是相当难产,至今还没有正式推出相关产品。
未来芯片实验室的新芯片在22nm制程,晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。
单单是22nm制程晶体管密度,未来芯片实验室的芯片已经做到了极致,就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530万晶体管,这几乎是被认为22nm工艺的极限。
而未来芯片实验室的新芯片,同样是22nm制程,却是可以达到每平方毫米2000万晶体管,比英特尔的1530万晶体管,还多了470万晶体管。
当然,比起英特尔的10nm制程,未来芯片实验室的22制程就落后许多,晶体管密度仅仅只是英特尔10nm的五分之一。
只不过,得益于设计和材质的不同,同样数量的晶体管,碳基芯片的性能却是可以做到十倍以上,也就是新芯片的2000万晶体管,其性能已经超越了英特尔的1亿晶体管,甚至性能增强了一倍。
最重要的是,在性
请收藏:https://m.biquge777.com
(温馨提示:请关闭畅读或阅读模式,否则内容无法正常显示)